MSVC装置由补偿（滤波）支路和磁控电抗器（简称MCR）并联支路组成，其中补偿（滤波）支路经隔离开关固定接于母线，通过调节磁控电抗器的输出容量（感性无功），实现无功的柔性补偿。因与原各类补偿装置的主要区别在于磁控电抗器，故下面集中对磁控电抗器（MCR）作介绍。

图1 动态无功补偿装置（MSVC）一次系统图

2、磁控电抗器（MCR）

2.1.基本工作原理

磁控电抗器采用直流助磁原理，利用附加直流励磁磁化铁心，改变铁心磁导率，实现电抗值的连续可调，其内部为全静态结构，无运动部

件，工作可靠性高，连续性好。

构电抗器结构如图2所示，在中间套有线圈的两工作铁心柱上分布着多

个小截面段，在电抗器的整个容量调节范围内，大截面段始终工作于未饱和线性区，仅有小截面段铁心磁路饱和，且饱和的程度很高。

图3为铁心理想磁化曲线示意图，曲线中间部分为未饱和线性区，左、右两边为极限饱和线性区。若使电抗器工作在极限饱和线性区，不仅可以减小谐波含量，同时亦能大幅降低铁心磁滞损耗，电抗器铁损控制在理想状态。

图3 铁心磁饱和特性

2.2.原理接线图

磁控电抗器控制原理接线图如图4所示。在磁控电抗器的工作铁心柱上分别对称地绕有两个线圈，其上有抽头，它们之间接有可控硅1T 、2T ，不同铁心的上下两个主绕组交叉连接后并联至电源，续流二极管D 接在两个线圈的中间。

K N 2N

2

N

2

图4 磁控电抗器原理接线图

当磁控电抗器主绕组接至电源电压时, 在可控硅两端感应出1% 左右的系统电压。在电源电压正半周触发导通可控硅1T ，形成图5（a ）所示的等效电路，在回路中产生直流控制电流；在电源电压负半周触发导

通可控硅2T，形成图5（b）所示的等效电路，在回路中产生直流控制电流。两个可控硅在一个工频周期轮流触发导通，产生的直流控制电流，使电抗器工作铁心饱和，输出电流增加。磁控电抗器输出电流大小取决于可控硅控制角，控制角越小，产生的控制电流越强，从而电抗器工作铁心磁饱和度越高，输出电流越大。因此，改变可控硅控制角，可平滑调节电抗器容量。由上分析可知, 磁控电抗器具有自耦励磁功能,省去了单独的直流控制电源。

(a) （b）

图5 可控硅导通等效电路

2.3.技术特性

2.3.1谐波特性

磁控电抗器产生的谐波比相控电抗器（TCR）小50%。如图6所示，图中横坐标为电抗器输出基波电流标幺值，基准值为额定基波电流，纵坐标为电抗器产生谐波电流标幺值，基准值为额定基波电流。可见最大3次谐波电流为额定基波电流的7%左右，5次谐波电流为2.5%左右。